창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4768 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4765-1N4774A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 350옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 0°C ~ 75°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4768 | |
관련 링크 | 1N4, 1N4768 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GTCR38-601M-R10-FS | GDT 600V 20% 10KA T/H FAIL SHORT | GTCR38-601M-R10-FS.pdf | |
![]() | Y1628110K000T0R | RES SMD 110K OHM 0.01% 3/4W 2512 | Y1628110K000T0R.pdf | |
![]() | CMF5515M000JNBF | RES 15M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5515M000JNBF.pdf | |
![]() | RC28F256J3A120 | RC28F256J3A120 ORIGINAL BGA | RC28F256J3A120.pdf | |
![]() | 6F30B | 6F30B IR SMD or Through Hole | 6F30B.pdf | |
![]() | Y652ST1S | Y652ST1S QFN SMD or Through Hole | Y652ST1S.pdf | |
![]() | DD105N12L | DD105N12L SANREX SMD or Through Hole | DD105N12L.pdf | |
![]() | CW00110R00JE12 | CW00110R00JE12 vishay SMD or Through Hole | CW00110R00JE12.pdf | |
![]() | XC3S1000FGG676 | XC3S1000FGG676 XILINX BGA | XC3S1000FGG676.pdf | |
![]() | DY03D03D-2W | DY03D03D-2W YAOHUA DIP | DY03D03D-2W.pdf | |
![]() | LT3890 | LT3890 LINEAR QFN-32 | LT3890.pdf | |
![]() | CD411230 | CD411230 ORIGINAL MODULE | CD411230.pdf |