창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4766 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4765-1N4774A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 350옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 0°C ~ 75°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4766 | |
관련 링크 | 1N4, 1N4766 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | F17734332006 | 0.33µF Film Capacitor 253V 630V Polyester, Metallized Axial 0.472" Dia x 1.043" L (12.00mm x 26.50mm) | F17734332006.pdf | |
![]() | TLF9UA802WR25K1 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 250mA DCR 4 Ohm | TLF9UA802WR25K1.pdf | |
![]() | DSF10TB-BT | DSF10TB-BT SANYO DO-41S | DSF10TB-BT.pdf | |
![]() | TR09WQTFC15IN2B-DT | TR09WQTFC15IN2B-DT AGERE BGA | TR09WQTFC15IN2B-DT.pdf | |
![]() | PH-1X3434CEZZ | PH-1X3434CEZZ SHARP BGA | PH-1X3434CEZZ.pdf | |
![]() | 74ABT841ADW | 74ABT841ADW TI/BB SOIC-24P | 74ABT841ADW.pdf | |
![]() | B1086 | B1086 SANYO TO-126 | B1086.pdf | |
![]() | 4-1775810-0 | 4-1775810-0 Tyco/AMP N A | 4-1775810-0.pdf | |
![]() | M83421/01-1221P | M83421/01-1221P COMPRESEARCH SMD or Through Hole | M83421/01-1221P.pdf | |
![]() | AT40K20LV-3DQC | AT40K20LV-3DQC Atmel 208-PQFP | AT40K20LV-3DQC.pdf | |
![]() | 1825B104K101NT | 1825B104K101NT NOVACAP SMD | 1825B104K101NT.pdf |