창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4763P/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 69.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4763P/TR8 | |
관련 링크 | 1N4763, 1N4763P/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
GL184F35CDT | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL184F35CDT.pdf | ||
C3290-51.840 | 51.84MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | C3290-51.840.pdf | ||
AIUR-06-153K | 15mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 20.5 Ohm Max Radial | AIUR-06-153K.pdf | ||
ASM213EArs | ASM213EArs AD SSOP | ASM213EArs.pdf | ||
PHE426PR6680JR06L | PHE426PR6680JR06L KEMET SMD or Through Hole | PHE426PR6680JR06L.pdf | ||
LA35SO | LA35SO SANYO SSOP | LA35SO.pdf | ||
293D226X9006B2TE3 | 293D226X9006B2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D226X9006B2TE3.pdf | ||
UPD77C20AC-065 | UPD77C20AC-065 NEC SMD or Through Hole | UPD77C20AC-065.pdf | ||
E30A23VS | E30A23VS ORIGINAL SMD or Through Hole | E30A23VS.pdf | ||
G543 | G543 GMT SOP-8 | G543.pdf |