창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4763E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 69.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4763E3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4763E, 1N4763E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RG1608V-3480-W-T1 | RES SMD 348 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-3480-W-T1.pdf | |
![]() | DB1S650E | DB1S650E DB SMD or Through Hole | DB1S650E.pdf | |
![]() | ICL8212MJA/883B | ICL8212MJA/883B INTERSIL DIP | ICL8212MJA/883B.pdf | |
![]() | ELMIS195.01A | ELMIS195.01A ORIGINAL SSOP36 | ELMIS195.01A.pdf | |
![]() | WT7218 | WT7218 WELTREND SOP8 SOT25 | WT7218.pdf | |
![]() | P230CH12 | P230CH12 WES SMD or Through Hole | P230CH12.pdf | |
![]() | LTC1065ISW | LTC1065ISW LT sop | LTC1065ISW.pdf | |
![]() | APT5030AN | APT5030AN APT TO-3 | APT5030AN.pdf | |
![]() | 449913B | 449913B TOSHIBA SOP | 449913B.pdf | |
![]() | 733340 | 733340 wago 200bulk | 733340.pdf | |
![]() | XR10/12S05(10W) | XR10/12S05(10W) N/A DIP | XR10/12S05(10W).pdf | |
![]() | VME1220AP-45 | VME1220AP-45 ORIGINAL DIP24 | VME1220AP-45.pdf |