창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4763AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP thru 1N4764AP Plastic | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 91V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 69.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 1N4763A 1N4763A P 1N4763ADO41 1N4763ADO41MSTR 1N4763ADO41MSTR-ND 1N4763AMSTR 1N4763AMSTR-ND 1N4763AP 1N4763APMSTR 1N4763APMSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4763AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N4763A, 1N4763AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
06035A2R2J4T2A | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A2R2J4T2A.pdf | ||
LP270F23IDT | 27MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP270F23IDT.pdf | ||
ERJ-PA2F2203X | RES SMD 220K OHM 1% 1/5W 0402 | ERJ-PA2F2203X.pdf | ||
RCP0505B47R0JTP | RES SMD 47 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B47R0JTP.pdf | ||
RNF14FTC182R | RES 182 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC182R.pdf | ||
CMF60640R00BEBF | RES 640 OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60640R00BEBF.pdf | ||
MSM5500-CP90-V2400-7 | MSM5500-CP90-V2400-7 QUALCOMM BGA | MSM5500-CP90-V2400-7.pdf | ||
C3225X5R0J4 | C3225X5R0J4 TDK SMD or Through Hole | C3225X5R0J4.pdf | ||
VT3603A-ED | VT3603A-ED PEELING SOP18 | VT3603A-ED.pdf | ||
CY53120E2-10AXI | CY53120E2-10AXI CYPRESS QFP | CY53120E2-10AXI.pdf | ||
MB60VH664APF-G-BND | MB60VH664APF-G-BND FUJITSU QFP64 | MB60VH664APF-G-BND.pdf | ||
SS18F-A SMAFL | SS18F-A SMAFL ORIGINAL SMD or Through Hole | SS18F-A SMAFL.pdf |