창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4761A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 175옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4761A G | |
관련 링크 | 1N476, 1N4761A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F260XXADR | 26MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260XXADR.pdf | |
![]() | EXB-38V751JV | RES ARRAY 4 RES 750 OHM 1206 | EXB-38V751JV.pdf | |
![]() | ISL28134FRUZ | ISL28134FRUZ ORIGINAL DFN-6P | ISL28134FRUZ.pdf | |
![]() | AM1C688M22040 | AM1C688M22040 SAMW DIP2 | AM1C688M22040.pdf | |
![]() | LVC516 | LVC516 MITSUMI TO-92 | LVC516.pdf | |
![]() | PKF5510PI | PKF5510PI ERICSSON SMD or Through Hole | PKF5510PI.pdf | |
![]() | 301R90 | 301R90 CEHCO SMD or Through Hole | 301R90.pdf | |
![]() | HYM76V8635HGT8-H | HYM76V8635HGT8-H Hyundai Tray | HYM76V8635HGT8-H.pdf | |
![]() | EP6001DC-45PC9643 | EP6001DC-45PC9643 ORIGINAL DIP | EP6001DC-45PC9643.pdf | |
![]() | HC49SFNB12288H0PESZ1 | HC49SFNB12288H0PESZ1 KYOSERAKINSEKI SMD or Through Hole | HC49SFNB12288H0PESZ1.pdf |