창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4757P/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4757P/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4757P, 1N4757P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC75CA-E3/57T | TVS DIODE 64.1VWM 104VC DO214AB | 1.5SMC75CA-E3/57T.pdf | |
![]() | 445W3XA25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XA25M00000.pdf | |
![]() | RT0603WRC0768R1L | RES SMD 68.1OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRC0768R1L.pdf | |
![]() | H856KBDA | RES 56.0K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H856KBDA.pdf | |
![]() | SMD2920P150TS(1.5A) | SMD2920P150TS(1.5A) ORIGINAL 2920 | SMD2920P150TS(1.5A).pdf | |
![]() | 2SB1308-T100Q | 2SB1308-T100Q ROHM SMD or Through Hole | 2SB1308-T100Q.pdf | |
![]() | SNM74LS08J | SNM74LS08J TI DIP | SNM74LS08J.pdf | |
![]() | 4606M-102-513 | 4606M-102-513 Bourns DIP | 4606M-102-513.pdf | |
![]() | J309E3 | J309E3 sil SMD or Through Hole | J309E3.pdf | |
![]() | XC6373A360PR | XC6373A360PR TOREX SOT89 | XC6373A360PR.pdf | |
![]() | LTO030F5R000JT | LTO030F5R000JT VISHAY PBF | LTO030F5R000JT.pdf | |
![]() | SN3188JIR1 | SN3188JIR1 SI-NE QFN | SN3188JIR1.pdf |