창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4757E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4757E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N4757E, 1N4757E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1N6065 | TVS DIODE 95VWM 176VC DO13 | 1N6065.pdf | |
![]() | B72207S131K101 | B72207S131K101 EPCOS SMD or Through Hole | B72207S131K101.pdf | |
![]() | TCP-2-10 | TCP-2-10 MINI SMD or Through Hole | TCP-2-10.pdf | |
![]() | B263D | B263D NS/ DIP | B263D.pdf | |
![]() | 3706M-E1. | 3706M-E1. ORIGINAL SOP-8 | 3706M-E1..pdf | |
![]() | ICX637CQZ | ICX637CQZ SONY CCD | ICX637CQZ.pdf | |
![]() | UA28H80RC | UA28H80RC TI DIP8 | UA28H80RC.pdf | |
![]() | ACE520BEGM+H | ACE520BEGM+H ACE SOT23-6 | ACE520BEGM+H.pdf | |
![]() | TE28F160S3 | TE28F160S3 INTEL TSOP | TE28F160S3.pdf | |
![]() | 100V105 | 100V105 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100V105.pdf | |
![]() | PC0302-100M | PC0302-100M ORIGINAL SMD | PC0302-100M.pdf | |
![]() | NNRA0743442 0732-019 | NNRA0743442 0732-019 TAIWAN SMD or Through Hole | NNRA0743442 0732-019.pdf |