창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4757CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4757CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N4757CE, 1N4757CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | HGTP10N120BN | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB | HGTP10N120BN.pdf | |
![]() | ERJ-L03UF97MV | RES SMD 0.097 OHM 1% 1/5W 0603 | ERJ-L03UF97MV.pdf | |
![]() | H1285 | H1285 PULSE 24P | H1285.pdf | |
![]() | LC4256C-75FN256A-10I | LC4256C-75FN256A-10I Lattice BGA256 | LC4256C-75FN256A-10I.pdf | |
![]() | 891WP-1A-C 12VDC | 891WP-1A-C 12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 891WP-1A-C 12VDC.pdf | |
![]() | UPG2151T5K | UPG2151T5K NEC 6-TSSON | UPG2151T5K.pdf | |
![]() | NJM2100D#ZZZB | NJM2100D#ZZZB JRC SMD or Through Hole | NJM2100D#ZZZB.pdf | |
![]() | SC409042CFN | SC409042CFN MOTOROLA PLCC44 | SC409042CFN.pdf | |
![]() | PSD310021 | PSD310021 PSD CONN | PSD310021.pdf | |
![]() | 12M 6035 | 12M 6035 ORIGINAL SMD | 12M 6035.pdf | |
![]() | AM29LV160DB-90WCC | AM29LV160DB-90WCC AMD FBGA | AM29LV160DB-90WCC.pdf |