창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4757AP/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP thru 1N4764AP Plastic | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 1N4757A P 1N4757ADO41 1N4757ADO41MSTR 1N4757ADO41MSTR-ND 1N4757AMSTR 1N4757AMSTR-ND 1N4757AP 1N4757APMSTR 1N4757APMSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4757AP/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N4757A, 1N4757AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1122BE2-025.0000 | 25MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Enable/Disable | DSC1122BE2-025.0000.pdf | |
![]() | PHP00603E19R1BBT1 | RES SMD 19.1 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E19R1BBT1.pdf | |
![]() | AD5241BR100 | AD5241BR100 ADI SOP14 | AD5241BR100.pdf | |
![]() | HY27US16562A-TPCB | HY27US16562A-TPCB HYNIX TSOP | HY27US16562A-TPCB.pdf | |
![]() | 32DFC6-N | 32DFC6-N Corcom SMD or Through Hole | 32DFC6-N.pdf | |
![]() | S15A30 | S15A30 MOSPEC TO-220 | S15A30.pdf | |
![]() | IEG66-1-61F-30.0-01-V | IEG66-1-61F-30.0-01-V MOT NULL | IEG66-1-61F-30.0-01-V.pdf | |
![]() | QG82945GM SL4Z2 | QG82945GM SL4Z2 INTEL BGA | QG82945GM SL4Z2.pdf | |
![]() | 530177 | 530177 ORIGINAL SMD or Through Hole | 530177.pdf | |
![]() | M38039FFHHP | M38039FFHHP RENESAS QFP | M38039FFHHP.pdf | |
![]() | 16F688-I/SL | 16F688-I/SL MICROCHIP SMD or Through Hole | 16F688-I/SL.pdf | |
![]() | MT4LC4M16F5-5 | MT4LC4M16F5-5 MICRON TSSOP-50 | MT4LC4M16F5-5.pdf |