창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4757AP/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP thru 1N4764AP Plastic | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 1N4757A P 1N4757ADO41 1N4757ADO41MSTR 1N4757ADO41MSTR-ND 1N4757AMSTR 1N4757AMSTR-ND 1N4757AP 1N4757APMSTR 1N4757APMSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4757AP/TR8 | |
관련 링크 | 1N4757A, 1N4757AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B43601A2827M82 | 820µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 120 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601A2827M82.pdf | |
![]() | 170M1567D | FUSE 100A 690V AR DIN 000 HSDNH | 170M1567D.pdf | |
![]() | BUK9K29-100E,115 | MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D | BUK9K29-100E,115.pdf | |
![]() | PTN1206E1110BST1 | RES SMD 111 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1110BST1.pdf | |
![]() | Y0089549R000TR0L | RES 549 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0089549R000TR0L.pdf | |
![]() | SMA532 | SMA532 FUJ ZIP25 | SMA532.pdf | |
![]() | HT32F-5VDC-A | HT32F-5VDC-A ORIGINAL SMD or Through Hole | HT32F-5VDC-A.pdf | |
![]() | D2030B | D2030B ORIGINAL TO-220 | D2030B.pdf | |
![]() | ISL6620ACBZ | ISL6620ACBZ Intersil SOP8 | ISL6620ACBZ.pdf | |
![]() | IRGIB6B60KD116P | IRGIB6B60KD116P IR TO-220F | IRGIB6B60KD116P.pdf | |
![]() | 51C33 | 51C33 ON SOP8 | 51C33 .pdf | |
![]() | VPX3224DQGC3 | VPX3224DQGC3 Micronas SMD or Through Hole | VPX3224DQGC3.pdf |