창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4757A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4757A G | |
관련 링크 | 1N475, 1N4757A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | S0402-12NH1B | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-12NH1B.pdf | |
![]() | Y0062175R000B0L | RES 175 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0062175R000B0L.pdf | |
![]() | MMF314526 | WK-06-250RD-10C STRAIN GAGES (5/ | MMF314526.pdf | |
![]() | PZ1608D750-1R5T | PZ1608D750-1R5T ORIGINAL SMD or Through Hole | PZ1608D750-1R5T.pdf | |
![]() | LC587008-1N39 | LC587008-1N39 SANYO QFP | LC587008-1N39.pdf | |
![]() | PM-24-R | PM-24-R SUNX SMD or Through Hole | PM-24-R.pdf | |
![]() | B41856-S4228-M001 | B41856-S4228-M001 EPCOS SMD | B41856-S4228-M001.pdf | |
![]() | TLV1549IDR | TLV1549IDR TI SOP | TLV1549IDR.pdf | |
![]() | FM02041102FT1 | FM02041102FT1 CINETECH SMD or Through Hole | FM02041102FT1.pdf | |
![]() | UPD65956N7-E37-H6 | UPD65956N7-E37-H6 NEC QFP | UPD65956N7-E37-H6.pdf | |
![]() | MSTB2.5/14-G-5.08 | MSTB2.5/14-G-5.08 PHOENIX SMD or Through Hole | MSTB2.5/14-G-5.08.pdf | |
![]() | LL1H685M05011 | LL1H685M05011 SAMWHA SMD or Through Hole | LL1H685M05011.pdf |