창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4757 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4757 G | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4757 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MBRB760HE3/45 | DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB | MBRB760HE3/45.pdf | |
![]() | CRGH2010J16K | RES SMD 16K OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J16K.pdf | |
![]() | Y0785503R000T9L | RES 503 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0785503R000T9L.pdf | |
![]() | TP0101T- | TP0101T- SILICONIX SOT-23 | TP0101T-.pdf | |
![]() | G5006 | G5006 ST DO-4 | G5006.pdf | |
![]() | RT9221 | RT9221 RICHTEK SMD or Through Hole | RT9221.pdf | |
![]() | TLP131(TRR) | TLP131(TRR) TOSHIBA SOP5 | TLP131(TRR).pdf | |
![]() | FMM362 | FMM362 EUDYNA SOP | FMM362.pdf | |
![]() | kad5612p-25q72 | kad5612p-25q72 its SMD or Through Hole | kad5612p-25q72.pdf | |
![]() | STPS61H00CW | STPS61H00CW ST TO247 | STPS61H00CW.pdf | |
![]() | ECA00AE310EA0K | ECA00AE310EA0K VISHAY SMD or Through Hole | ECA00AE310EA0K.pdf | |
![]() | YB1253ST89XR150 | YB1253ST89XR150 YOBON SOT89 | YB1253ST89XR150.pdf |