창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4757 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4757 G | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4757 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BAS16 E9 | BAS16 E9 DIODES SMD or Through Hole | BAS16 E9.pdf | |
![]() | TSM-103-01-T-DV-P-TR | TSM-103-01-T-DV-P-TR SAMTEC SMD | TSM-103-01-T-DV-P-TR.pdf | |
![]() | MB89915P-G-127-SH | MB89915P-G-127-SH ORIGINAL DIP | MB89915P-G-127-SH.pdf | |
![]() | 87C405AM-3JG1 | 87C405AM-3JG1 TOSHIBA SOP28 | 87C405AM-3JG1.pdf | |
![]() | MX25L2005MC-15G | MX25L2005MC-15G MXIC SOP8-3.9 | MX25L2005MC-15G .pdf | |
![]() | P50E-24 | P50E-24 Cosel SMD or Through Hole | P50E-24.pdf | |
![]() | RH-IXA104QBEO | RH-IXA104QBEO SHARP DIP | RH-IXA104QBEO.pdf | |
![]() | Z8937320ASC | Z8937320ASC ORIGINAL SMD or Through Hole | Z8937320ASC.pdf | |
![]() | LP3910SQX-AA/NOPB | LP3910SQX-AA/NOPB NS LLP48 | LP3910SQX-AA/NOPB.pdf | |
![]() | 74LVC157ADB118 | 74LVC157ADB118 NXP 16SSOP | 74LVC157ADB118.pdf | |
![]() | A0612KRX7R9BN391 | A0612KRX7R9BN391 PHY SMD or Through Hole | A0612KRX7R9BN391.pdf | |
![]() | DDX-4100ATR-D1B | DDX-4100ATR-D1B ST TQFP | DDX-4100ATR-D1B.pdf |