창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4756CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 35.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4756CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N4756CE, 1N4756CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ISC1812RQ180J | 18µH Shielded Wirewound Inductor 238mA 1.24 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ180J.pdf | |
![]() | 1812-472J | 4.7µH Unshielded Inductor 448mA 1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | 1812-472J.pdf | |
![]() | KIA78D33F-ATF/P | KIA78D33F-ATF/P FSC TO-252 | KIA78D33F-ATF/P.pdf | |
![]() | TDA83615Y | TDA83615Y PHLPS DIP-52 | TDA83615Y.pdf | |
![]() | TSC2008IPWR | TSC2008IPWR TI TSSOP16 | TSC2008IPWR.pdf | |
![]() | M12L16161A-5 | M12L16161A-5 ESMT TSOP | M12L16161A-5.pdf | |
![]() | 2SD1935(XHZ) | 2SD1935(XHZ) SANYO SOT23 | 2SD1935(XHZ).pdf | |
![]() | BAV70-TIP-J-# | BAV70-TIP-J-# ORIGINAL SMD or Through Hole | BAV70-TIP-J-#.pdf | |
![]() | TM60SZ-M | TM60SZ-M ORIGINAL SMD or Through Hole | TM60SZ-M.pdf | |
![]() | PI3A2268ZME | PI3A2268ZME PERICOM UQFN-10 | PI3A2268ZME.pdf | |
![]() | SCD0502T-3R3K-N | SCD0502T-3R3K-N YAGEO SMD or Through Hole | SCD0502T-3R3K-N.pdf | |
![]() | LQP0603T1N0B00T1M | LQP0603T1N0B00T1M MURATA SMD or Through Hole | LQP0603T1N0B00T1M.pdf |