창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4755ATR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728A - 1N4764A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | SMC Diode Solutions | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1655-1376-2 1N4755ATA | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4755ATR | |
관련 링크 | 1N475, 1N4755ATR 데이터 시트, SMC Diode Solutions 에이전트 유통 |
RG1005P-622-D-T10 | RES SMD 6.2K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-622-D-T10.pdf | ||
RG3216V-1330-P-T1 | RES SMD 133 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-1330-P-T1.pdf | ||
DAC7513E/2K5G4 | DAC7513E/2K5G4 TI MSOP-8 | DAC7513E/2K5G4.pdf | ||
IR7220 | IR7220 IR SOP-8 | IR7220.pdf | ||
NJL517KG | NJL517KG JRC SMD or Through Hole | NJL517KG.pdf | ||
MLR1608M3N3STAH | MLR1608M3N3STAH TDK SMD or Through Hole | MLR1608M3N3STAH.pdf | ||
SGP1329000101 | SGP1329000101 NEC QFP100 | SGP1329000101.pdf | ||
32F8120-CLR | 32F8120-CLR TI SOP-16 | 32F8120-CLR.pdf | ||
2-916783-5 | 2-916783-5 TYCO SMD or Through Hole | 2-916783-5.pdf | ||
E28F002BV-T60ES | E28F002BV-T60ES INTEL SMD or Through Hole | E28F002BV-T60ES.pdf | ||
CDR03BX473AMSM | CDR03BX473AMSM AVX SMD | CDR03BX473AMSM.pdf | ||
FW82801BAM (QA36) | FW82801BAM (QA36) INTEL SMD or Through Hole | FW82801BAM (QA36).pdf |