창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4754AP/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP thru 1N4764AP Plastic | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 29.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 1N4754A P 1N4754ADO41 1N4754ADO41MSTR 1N4754ADO41MSTR-ND 1N4754AMSTR 1N4754AMSTR-ND 1N4754AP 1N4754APMSTR 1N4754APMSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4754AP/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N4754A, 1N4754AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LDS0705-1R5M-R | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 6.17A 6.1 mOhm Nonstandard | LDS0705-1R5M-R.pdf | |
![]() | Y000796R0760T9L | RES 96.076 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000796R0760T9L.pdf | |
![]() | MAX622CSA | MAX622CSA MAS SOP8 | MAX622CSA.pdf | |
![]() | BC856LT1 3B | BC856LT1 3B CD SOT-23 | BC856LT1 3B.pdf | |
![]() | 20EB66 | 20EB66 Curtis SMD or Through Hole | 20EB66.pdf | |
![]() | M50747-C20SP | M50747-C20SP MITSUBIS DIP | M50747-C20SP.pdf | |
![]() | JANTX2N2605 | JANTX2N2605 PR SMD or Through Hole | JANTX2N2605.pdf | |
![]() | W25Q64CVSFIG,0,1E | W25Q64CVSFIG,0,1E WINBOND SMD or Through Hole | W25Q64CVSFIG,0,1E.pdf | |
![]() | EVM3ESX50B24 3X3-20K | EVM3ESX50B24 3X3-20K ORIGINAL 3X3 | EVM3ESX50B24 3X3-20K.pdf | |
![]() | L1A2171 | L1A2171 LSI PLCC68 | L1A2171.pdf | |
![]() | MAX506BMJP | MAX506BMJP MAXIM SOP8 | MAX506BMJP.pdf | |
![]() | 1-1757820-0 | 1-1757820-0 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-1757820-0.pdf |