창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4750 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4750 G | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4750 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 200AWMSP1T2A1M61RE | 200AWMSP1T2A1M61RE AMP/TYCO SMD or Through Hole | 200AWMSP1T2A1M61RE.pdf | |
![]() | A16FR20 | A16FR20 IR DO-4 | A16FR20.pdf | |
![]() | L2308C | L2308C ORIGINAL SMD or Through Hole | L2308C.pdf | |
![]() | 89954SOCN 312A5938P1 | 89954SOCN 312A5938P1 HAR QFP64 | 89954SOCN 312A5938P1.pdf | |
![]() | IMZ1N | IMZ1N ROHM SOT163 | IMZ1N.pdf | |
![]() | D36863PN | D36863PN TI TQFP80 | D36863PN.pdf | |
![]() | GJM1555C1H6 | GJM1555C1H6 Murata SMD or Through Hole | GJM1555C1H6.pdf | |
![]() | SSB-ULD-PQ1 | SSB-ULD-PQ1 DOMINAT SMD | SSB-ULD-PQ1.pdf | |
![]() | KX1002 | KX1002 XX SOT23-5 | KX1002.pdf | |
![]() | DS21887 | DS21887 ORIGINAL SOP-8L | DS21887.pdf | |
![]() | G-239 | G-239 ORIGINAL SMD or Through Hole | G-239.pdf |