창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4750 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4750 G | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4750 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | AQ11EA1R2BA7ME | 1.2pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ11EA1R2BA7ME.pdf | |
![]() | B32620A4682J | 6800pF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | B32620A4682J.pdf | |
![]() | 9C-8.000MAAJ-T | 8MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-8.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | L-07W43NJV4T | 43nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 810 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W43NJV4T.pdf | |
![]() | 160-471GS | 470nH Unshielded Inductor 835mA 180 mOhm Max 2-SMD | 160-471GS.pdf | |
![]() | NHQ304B435T5 | NTC Thermistor 300k 1206 (3216 Metric) | NHQ304B435T5.pdf | |
![]() | SDV704Q | SDV704Q AUK SOD-523 | SDV704Q.pdf | |
![]() | XC3S5000-6FG900I | XC3S5000-6FG900I XILINX BGA | XC3S5000-6FG900I.pdf | |
![]() | 168K245J5JL | 168K245J5JL N/A DIP | 168K245J5JL.pdf | |
![]() | 74FCT827CTSO | 74FCT827CTSO IDT SMD or Through Hole | 74FCT827CTSO.pdf | |
![]() | mks4 .01/400/20 pcm10 | mks4 .01/400/20 pcm10 ON CDIP32 | mks4 .01/400/20 pcm10.pdf | |
![]() | VP-301 | VP-301 TAIWAN DIOD | VP-301.pdf |