창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4749CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 18.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4749CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N4749CE, 1N4749CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH3D14/HPNP-100NC | 10µH Shielded Inductor 670mA 440 mOhm Max Nonstandard | CDRH3D14/HPNP-100NC.pdf | |
![]() | TC1173-3.3VOA | TC1173-3.3VOA MICROCHIP SMD or Through Hole | TC1173-3.3VOA.pdf | |
![]() | 71011SE | 71011SE INF TO-220-5L | 71011SE.pdf | |
![]() | FF1004F | FF1004F FAG DO-41 | FF1004F.pdf | |
![]() | IL-312-100S-VF-A1-E3500 | IL-312-100S-VF-A1-E3500 JAE SMD or Through Hole | IL-312-100S-VF-A1-E3500.pdf | |
![]() | MSM531602F-34 | MSM531602F-34 OKI SOP-44P | MSM531602F-34.pdf | |
![]() | A3SJ-8040 | A3SJ-8040 OMRON SMD or Through Hole | A3SJ-8040.pdf | |
![]() | XC2S200FG256AFP | XC2S200FG256AFP XILINX BGA | XC2S200FG256AFP.pdf | |
![]() | GO6200 NPB | GO6200 NPB NVIDIA BGA | GO6200 NPB.pdf | |
![]() | GD54LS154J/B | GD54LS154J/B ORIGINAL SMD or Through Hole | GD54LS154J/B.pdf | |
![]() | HN7G01FE-A(TE85LF | HN7G01FE-A(TE85LF Toshiba SMD or Through Hole | HN7G01FE-A(TE85LF.pdf |