창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4749AP/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 18.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4749AP/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4749A, 1N4749AP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MCR10EZPF82R0 | RES SMD 82 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF82R0.pdf | |
![]() | Y0793855R000T9L | RES 855 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0793855R000T9L.pdf | |
![]() | CFWLA455KD1Y-B0 | CFWLA455KD1Y-B0 MURATA SMD | CFWLA455KD1Y-B0.pdf | |
![]() | PALCE16V10H-15 | PALCE16V10H-15 ORIGINAL DIP | PALCE16V10H-15.pdf | |
![]() | 39VF040-70-4I-NHE | 39VF040-70-4I-NHE SST PLCC | 39VF040-70-4I-NHE.pdf | |
![]() | 2SD1146-Y | 2SD1146-Y KEC TO-92 | 2SD1146-Y.pdf | |
![]() | BG2012B681T | BG2012B681T ORIGINAL SMD or Through Hole | BG2012B681T.pdf | |
![]() | TC4405EPA | TC4405EPA TC SMD or Through Hole | TC4405EPA.pdf | |
![]() | 6DI150A-060 A50L-0 | 6DI150A-060 A50L-0 FUJI SMD or Through Hole | 6DI150A-060 A50L-0.pdf | |
![]() | 6660HEX | 6660HEX ORIGINAL SMD or Through Hole | 6660HEX.pdf | |
![]() | CSG2001-25A04 | CSG2001-25A04 ABB module | CSG2001-25A04.pdf | |
![]() | 79R3500-25G | 79R3500-25G IDT PGA | 79R3500-25G.pdf |