창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4749AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4749AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N4749A, 1N4749AP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | MLG1608B3N3STD25 | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 120 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLG1608B3N3STD25.pdf | |
![]() | RT0402BRE078K16L | RES SMD 8.16KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE078K16L.pdf | |
![]() | MBB02070D2522DC100 | RES 25.2K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2522DC100.pdf | |
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![]() | MP915-1K-1% | MP915-1K-1% CADDOCK SMD or Through Hole | MP915-1K-1%.pdf | |
![]() | SC16C554DBIB64.151 | SC16C554DBIB64.151 NXP LQFP64 | SC16C554DBIB64.151.pdf | |
![]() | UT30N03L | UT30N03L UTC TO-252TR | UT30N03L.pdf | |
![]() | 25TTS08SPBF | 25TTS08SPBF IR SMD or Through Hole | 25TTS08SPBF.pdf | |
![]() | ESVA1E225M | ESVA1E225M NEC SMD | ESVA1E225M.pdf |