창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4747A,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728A-49A | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1508 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 1N4747A T/R 1N4747A T/R-ND 1N4747A,113-ND 568-4856-2 568-4856-3 568-4856-3-ND 933931730113 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4747A,113 | |
관련 링크 | 1N4747, 1N4747A,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | LGG2P182MELC40 | 1800µF 220V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LGG2P182MELC40.pdf | |
![]() | STTH812DI | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | STTH812DI.pdf | |
![]() | MBA02040C4701DRP00 | RES 4.7K OHM 0.4W 0.5% AXIAL | MBA02040C4701DRP00.pdf | |
![]() | LTC3631EMS8E#PBF | LTC3631EMS8E#PBF LINEAR MSOP-8 | LTC3631EMS8E#PBF.pdf | |
![]() | 4606M-902-CCLF | 4606M-902-CCLF BOURNS SMD or Through Hole | 4606M-902-CCLF.pdf | |
![]() | SI4532DY-TI | SI4532DY-TI VISHAY SMD or Through Hole | SI4532DY-TI.pdf | |
![]() | AD80008BSUZ | AD80008BSUZ AD QFP | AD80008BSUZ.pdf | |
![]() | SFH6106-1-X001T | SFH6106-1-X001T VISHAY SMD4 | SFH6106-1-X001T.pdf | |
![]() | D4558G | D4558G NEC SOP | D4558G.pdf | |
![]() | PC6N135I | PC6N135I SHARP SMD-8 | PC6N135I.pdf | |
![]() | 66WR1MegLF | 66WR1MegLF BI DIP | 66WR1MegLF.pdf | |
![]() | MTP20016 | MTP20016 NELL Modules | MTP20016.pdf |