창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4739P/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4739P/TR12 | |
관련 링크 | 1N4739P, 1N4739P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ELJ-PF8N2JF | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-PF8N2JF.pdf | |
![]() | P15C3125L | P15C3125L ORIGINAL SOP | P15C3125L.pdf | |
![]() | LTC3565EMSE#PBF | LTC3565EMSE#PBF LINEAR MSOP-10 | LTC3565EMSE#PBF.pdf | |
![]() | LC320W01$LC320W01-SL01 | LC320W01$LC320W01-SL01 NA NA | LC320W01$LC320W01-SL01.pdf | |
![]() | BP101L-3 | BP101L-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | BP101L-3.pdf | |
![]() | BCR158T/W | BCR158T/W INFINEON SMD or Through Hole | BCR158T/W.pdf | |
![]() | RGA331M1CBK-0811P | RGA331M1CBK-0811P LELON DIP | RGA331M1CBK-0811P.pdf | |
![]() | 4LA | 4LA MICROCHIP TSSOP8 | 4LA.pdf | |
![]() | SST34HF1681J-70-4E | SST34HF1681J-70-4E SST BGA | SST34HF1681J-70-4E.pdf | |
![]() | AM29LV640DU-120WHE | AM29LV640DU-120WHE AMD BGA | AM29LV640DU-120WHE.pdf | |
![]() | HLP-80H-20 | HLP-80H-20 MW SMD or Through Hole | HLP-80H-20.pdf |