창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4737 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4737 G | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4737 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | PG0087.333NLT | 33µH Shielded Inductor 650mA 386 mOhm Max Nonstandard | PG0087.333NLT.pdf | |
![]() | RCP0603W1K50JET | RES SMD 1.5K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W1K50JET.pdf | |
![]() | SX1S-V11 | SX1S-V11 SANYO BGA | SX1S-V11.pdf | |
![]() | 54S74F/883 | 54S74F/883 SigAetics DIP | 54S74F/883.pdf | |
![]() | BTM53C2RA | BTM53C2RA SAMSUNG SMD or Through Hole | BTM53C2RA.pdf | |
![]() | CLH1608T-4N7S-S 4.7N-0603 PB-FREE | CLH1608T-4N7S-S 4.7N-0603 PB-FREE CHILISIN SMD or Through Hole | CLH1608T-4N7S-S 4.7N-0603 PB-FREE.pdf | |
![]() | BAM2 | BAM2 ENTRELEC ORIGINAL | BAM2.pdf | |
![]() | 2.8*2m | 2.8*2m ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.8*2m.pdf | |
![]() | BFP173 | BFP173 ORIGINAL SMD or Through Hole | BFP173.pdf | |
![]() | A2F200M3F-FG484I | A2F200M3F-FG484I ACTEL SMD or Through Hole | A2F200M3F-FG484I.pdf | |
![]() | LTC4278CDKD-2#PBF/I | LTC4278CDKD-2#PBF/I LT SMD or Through Hole | LTC4278CDKD-2#PBF/I.pdf | |
![]() | LM140AH-12P | LM140AH-12P NS SMD or Through Hole | LM140AH-12P.pdf |