창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4736E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4736E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N4736E, 1N4736E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-3RED1273V | RES SMD 127K OHM 0.5% 1/10W 0603 | ERJ-3RED1273V.pdf | |
![]() | PAT0603E1492BST1 | RES SMD 14.9KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1492BST1.pdf | |
![]() | BL-HD1W133B-TRB | BL-HD1W133B-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HD1W133B-TRB.pdf | |
![]() | LAE65B-ABCA-11 1210-R | LAE65B-ABCA-11 1210-R OSRAMOPTO SMD or Through Hole | LAE65B-ABCA-11 1210-R.pdf | |
![]() | S3C80F9BLN-SO97 | S3C80F9BLN-SO97 SAMSUNG SOP7.2 | S3C80F9BLN-SO97.pdf | |
![]() | LQN2520-R39K | LQN2520-R39K Tai-Tech SMD or Through Hole | LQN2520-R39K.pdf | |
![]() | JC4B-T1 | JC4B-T1 ORIGINAL LL340805 | JC4B-T1.pdf | |
![]() | 403CNQ080R | 403CNQ080R IR SMD or Through Hole | 403CNQ080R.pdf | |
![]() | H5N5006LM | H5N5006LM HIT TO-252 | H5N5006LM.pdf | |
![]() | 92315-1215 | 92315-1215 MOLEX SMD or Through Hole | 92315-1215.pdf | |
![]() | CXP86460-647Q | CXP86460-647Q SONY QFP64 | CXP86460-647Q.pdf |