창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4736ATR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728A - 58A | |
| 카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N4736AFSTR 1N4736ATRFS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4736ATR | |
| 관련 링크 | 1N473, 1N4736ATR 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| BZM55C9V1-TR | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C9V1-TR.pdf | ||
![]() | 744765136A | 36nH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 403 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | 744765136A.pdf | |
![]() | TSM2301BCX | TSM2301BCX TSC SOT-23 | TSM2301BCX.pdf | |
![]() | K4H511638C-ZCB3 | K4H511638C-ZCB3 SAMSUNG BGA | K4H511638C-ZCB3.pdf | |
![]() | WR06X331JTL | WR06X331JTL WALSIN R0805 | WR06X331JTL.pdf | |
![]() | AK33989BB | AK33989BB N/A TO223 | AK33989BB.pdf | |
![]() | MM5616BJ | MM5616BJ NS SMD or Through Hole | MM5616BJ.pdf | |
![]() | G6K-2G DC24V | G6K-2G DC24V OMRON SMD or Through Hole | G6K-2G DC24V.pdf | |
![]() | LS037V7DW03C | LS037V7DW03C ORIGINAL SMD or Through Hole | LS037V7DW03C.pdf | |
![]() | MC6706AJ12 | MC6706AJ12 MOT SOJ | MC6706AJ12.pdf | |
![]() | MTV021N-75 EN | MTV021N-75 EN MYSON DIP-16 | MTV021N-75 EN.pdf | |
![]() | LQH3NR10M04M | LQH3NR10M04M MURATA SMD | LQH3NR10M04M.pdf |