창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4735PE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4735PE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N4735PE, 1N4735PE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 4P111F35IET | 11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P111F35IET.pdf | |
![]() | 6381-2JS | 6381-2JS MMI CDIP24 | 6381-2JS.pdf | |
![]() | 12205882 | 12205882 TI PLCC28 | 12205882.pdf | |
![]() | CRP155F51E223ZA01E | CRP155F51E223ZA01E MURATA SMD | CRP155F51E223ZA01E.pdf | |
![]() | KSP27 | KSP27 FAIRCHILD SMD or Through Hole | KSP27.pdf | |
![]() | TLP750(D4) | TLP750(D4) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP750(D4).pdf | |
![]() | ELLA6R3ELL153MMP1S | ELLA6R3ELL153MMP1S NIPPON SMD or Through Hole | ELLA6R3ELL153MMP1S.pdf | |
![]() | LRB551V-30TIG | LRB551V-30TIG LRC SOD-323 | LRB551V-30TIG.pdf | |
![]() | 74LVX4245MTD | 74LVX4245MTD ON TSSOP-24 | 74LVX4245MTD.pdf | |
![]() | PKL4119PI | PKL4119PI ORIGINAL SMD or Through Hole | PKL4119PI.pdf | |
![]() | MALREK000JS410J00K | MALREK000JS410J00K vishay SMD or Through Hole | MALREK000JS410J00K.pdf | |
![]() | K9KAG08U0M-PIBO | K9KAG08U0M-PIBO SAMSUNG TSSOP | K9KAG08U0M-PIBO.pdf |