창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4735A,133 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728A-49A | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1N4735A,133-ND 568-11759-3 933931610133 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4735A,133 | |
| 관련 링크 | 1N4735, 1N4735A,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | BFC233917223 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC233917223.pdf | |
![]() | SIT8924BA-72-18E-27.00000D | OSC XO 1.8V 27MHZ OE | SIT8924BA-72-18E-27.00000D.pdf | |
![]() | DA28F016SA-85 | DA28F016SA-85 INTEL SSOP56 | DA28F016SA-85.pdf | |
![]() | 1206GA8R0JAT1A | 1206GA8R0JAT1A AVX SMD or Through Hole | 1206GA8R0JAT1A.pdf | |
![]() | 80PFR140W | 80PFR140W IR SMD or Through Hole | 80PFR140W.pdf | |
![]() | VX800U | VX800U ORIGINAL BGA | VX800U.pdf | |
![]() | M22-2020505 | M22-2020505 HARWIN SMD or Through Hole | M22-2020505.pdf | |
![]() | LVS606012-1R2N | LVS606012-1R2N ORIGINAL SMD or Through Hole | LVS606012-1R2N.pdf | |
![]() | FL2700068 | FL2700068 PER SMD or Through Hole | FL2700068.pdf | |
![]() | K4S280832I-TC75 | K4S280832I-TC75 SAMSUNG TSSOP | K4S280832I-TC75.pdf | |
![]() | BRT23-H-X017 | BRT23-H-X017 VishaySemicond NA | BRT23-H-X017.pdf | |
![]() | XC4052XLABG432-09C | XC4052XLABG432-09C ORIGINAL BGA-432D | XC4052XLABG432-09C.pdf |