창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4732APE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4732APE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N4732AP, 1N4732APE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LP250F35CET | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP250F35CET.pdf | |
![]() | B82422T3820J | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 260 mOhm Max 2-SMD | B82422T3820J.pdf | |
![]() | 104CDMCCDS-R68MC | 680nH Shielded Molded Inductor 23.5A 2.4 mOhm Max Nonstandard | 104CDMCCDS-R68MC.pdf | |
![]() | UP2C-100-R | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 3.61A 28.3 mOhm Nonstandard | UP2C-100-R.pdf | |
![]() | TNPW040216K2BETD | RES SMD 16.2KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040216K2BETD.pdf | |
![]() | CAT5241YI-10-TE13 | CAT5241YI-10-TE13 CSI TSSOP | CAT5241YI-10-TE13.pdf | |
![]() | HIT83385EIAZ | HIT83385EIAZ INTERSIL SSOP-20 | HIT83385EIAZ.pdf | |
![]() | HTS-1-1102258-2 | HTS-1-1102258-2 TEConnectivity SMD or Through Hole | HTS-1-1102258-2.pdf | |
![]() | 08050.1%2.87K | 08050.1%2.87K ORIGINAL SMD or Through Hole | 08050.1%2.87K.pdf | |
![]() | C166D3-12204-L | C166D3-12204-L ALLTOP SMD or Through Hole | C166D3-12204-L.pdf | |
![]() | ZY8160G | ZY8160G Power-One SMD or Through Hole | ZY8160G.pdf | |
![]() | M29W800DB55N3T | M29W800DB55N3T ST TSOP-48 | M29W800DB55N3T.pdf |