창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4732AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4732AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4732AE, 1N4732AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-S08F82R0V | RES SMD 82 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F82R0V.pdf | |
![]() | RT1210FRD078K25L | RES SMD 8.25K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD078K25L.pdf | |
![]() | Y578737K2120T9L | RES 37.212K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y578737K2120T9L.pdf | |
![]() | DS2009D-35 | DS2009D-35 DALLAS DIP28 | DS2009D-35.pdf | |
![]() | RJG1001 RJG1001-R | RJG1001 RJG1001-R FPE SMD or Through Hole | RJG1001 RJG1001-R.pdf | |
![]() | SAFEB1G57KB0F00R14 | SAFEB1G57KB0F00R14 MURATA SM1310-5 | SAFEB1G57KB0F00R14.pdf | |
![]() | MCDR1511NP-152K | MCDR1511NP-152K SUMIDA MCDR1511 | MCDR1511NP-152K.pdf | |
![]() | 100-3023-04 | 100-3023-04 NCR QFP160 | 100-3023-04.pdf | |
![]() | 62022431 | 62022431 GCA SOP8 | 62022431.pdf | |
![]() | 251M 6301 336MR 2 S | 251M 6301 336MR 2 S MASTU 3000R | 251M 6301 336MR 2 S.pdf | |
![]() | UUT1C100M | UUT1C100M NICHICON SMD | UUT1C100M.pdf |