창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4732 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4732 G | |
관련 링크 | 1N47, 1N4732 G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-21-33E-31.250000D | OSC XO 3.3V 31.25MHZ OE | SIT8008BI-21-33E-31.250000D.pdf | |
![]() | W83-3100S | W83-3100S ORIGINAL 8P | W83-3100S.pdf | |
![]() | S-812C25BMC-C4F-T2G | S-812C25BMC-C4F-T2G ORIGINAL SMD or Through Hole | S-812C25BMC-C4F-T2G.pdf | |
![]() | SMC9-65608EV-30SV | SMC9-65608EV-30SV ATMEL SB32.4 | SMC9-65608EV-30SV.pdf | |
![]() | C1608JB1A334K | C1608JB1A334K TDK SMD or Through Hole | C1608JB1A334K.pdf | |
![]() | MAX5903LBETT+ | MAX5903LBETT+ MAXIM TDFN-6 | MAX5903LBETT+.pdf | |
![]() | IDT7200SA90TDB | IDT7200SA90TDB MOSPEC NULL | IDT7200SA90TDB.pdf | |
![]() | MBRF30100C | MBRF30100C MOSPEC TR | MBRF30100C.pdf | |
![]() | PS8802-2-V-F3 | PS8802-2-V-F3 NEC SOP8 | PS8802-2-V-F3.pdf | |
![]() | CM2506 | CM2506 PANJIT SMD or Through Hole | CM2506.pdf | |
![]() | 2SC4135-R | 2SC4135-R SANYO TO-252 | 2SC4135-R.pdf | |
![]() | TLV7111323DDSER | TLV7111323DDSER TI 6WSON | TLV7111323DDSER.pdf |