창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4685 (DO35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4678(-1)-1N4717(-1) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 7.5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4685 (DO35) | |
관련 링크 | 1N4685 , 1N4685 (DO35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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SR072A101KARTR1 | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR072A101KARTR1.pdf | ||
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CW02B1R100JE12HS | RES 1.1 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B1R100JE12HS.pdf | ||
HSCDRRV001PD2A3 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRV001PD2A3.pdf | ||
MC845L | MC845L MOT DIP-14 | MC845L.pdf | ||
267E1602156MR | 267E1602156MR MATSUO SMD or Through Hole | 267E1602156MR.pdf | ||
1934955 | 1934955 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1934955.pdf | ||
SFI1812ML270C-LF | SFI1812ML270C-LF SFI SMD | SFI1812ML270C-LF.pdf | ||
RN73E2AT1002B | RN73E2AT1002B KOA SMD | RN73E2AT1002B.pdf |