창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4682UR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4678UR-1N4717UR-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4682UR-1 | |
관련 링크 | 1N4682, 1N4682UR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F400X3IAT | 40MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400X3IAT.pdf | ||
FCH165N60E | MOSFET N-CH 600V 23A TO247 | FCH165N60E.pdf | ||
CSD19538Q3AT | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | CSD19538Q3AT.pdf | ||
PSD35-12 | PSD35-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | PSD35-12.pdf | ||
7E06NB-4R7N-RB | 7E06NB-4R7N-RB SAGAMI SMD or Through Hole | 7E06NB-4R7N-RB.pdf | ||
MSC400 | MSC400 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSC400.pdf | ||
EC12E1240301 | EC12E1240301 ALPS SMD or Through Hole | EC12E1240301.pdf | ||
DS8641J | DS8641J NS SMD or Through Hole | DS8641J.pdf | ||
ZMY16V | ZMY16V VISHAY/ST LL41 | ZMY16V.pdf | ||
LTFJW | LTFJW LT SOT-6 | LTFJW.pdf | ||
MAX683EUA+ | MAX683EUA+ MAXIM MSOP8 | MAX683EUA+.pdf | ||
M74VHC16244TTR | M74VHC16244TTR ST TSSOP | M74VHC16244TTR.pdf |