창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4562B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.14옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4562B | |
관련 링크 | 1N45, 1N4562B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MCT06030D5101BP500 | RES SMD 5.1K OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D5101BP500.pdf | |
![]() | RG3216V-1330-W-T1 | RES SMD 133 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-1330-W-T1.pdf | |
![]() | Y0075336R000F9L | RES 336 OHM 0.3W 1% RADIAL | Y0075336R000F9L.pdf | |
![]() | OHD1-90B | SENSOR TEMP 90C 6W BREAK | OHD1-90B.pdf | |
![]() | AM2947 | AM2947 AMD SMD or Through Hole | AM2947.pdf | |
![]() | 476X9016 | 476X9016 AVX SMD or Through Hole | 476X9016.pdf | |
![]() | HM6264P | HM6264P HIT DIP | HM6264P.pdf | |
![]() | NP06DB330M | NP06DB330M ORIGINAL SMD or Through Hole | NP06DB330M.pdf | |
![]() | ESLIC1D05 | ESLIC1D05 ALCATEL PLCC | ESLIC1D05.pdf | |
![]() | TPS62260DRVR/BYK | TPS62260DRVR/BYK TI SON-6 | TPS62260DRVR/BYK.pdf | |
![]() | 64-1221 | 64-1221 GCELECTRONICS SMD or Through Hole | 64-1221.pdf | |
![]() | DMBT22220215 | DMBT22220215 NXP SMD or Through Hole | DMBT22220215.pdf |