창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4561RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4561RB | |
관련 링크 | 1N45, 1N4561RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602AC-33-33E-33.333000Y | OSC XO 3.3V 33.333MHZ OE | SIT1602AC-33-33E-33.333000Y.pdf | |
![]() | MD-5811-D256-V3Q18-P | MD-5811-D256-V3Q18-P ORIGINAL TSOP | MD-5811-D256-V3Q18-P.pdf | |
![]() | RJK0652DPB | RJK0652DPB Renesas LFPAK | RJK0652DPB.pdf | |
![]() | BZT55C8V2 | BZT55C8V2 VISHAY LL34 | BZT55C8V2.pdf | |
![]() | 34L101K | 34L101K ORIGINAL SMD or Through Hole | 34L101K.pdf | |
![]() | OPA117P | OPA117P BB DIP | OPA117P.pdf | |
![]() | SCT155K122D3B23-F | SCT155K122D3B23-F CDE SMD or Through Hole | SCT155K122D3B23-F.pdf | |
![]() | RJH-6V152MH6 | RJH-6V152MH6 ELNA DIP | RJH-6V152MH6.pdf | |
![]() | BOA2 | BOA2 M QFN | BOA2.pdf | |
![]() | JPF2-29565088 | JPF2-29565088 ORIGINAL SMD or Through Hole | JPF2-29565088.pdf | |
![]() | TSL27711 | TSL27711 ORIGINAL SMD or Through Hole | TSL27711.pdf | |
![]() | SN74F280NSR | SN74F280NSR ATMEL DIP40 | SN74F280NSR.pdf |