창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4559B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4559B | |
관련 링크 | 1N45, 1N4559B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
3313J-10K | 3313J-10K BOURNS SMD or Through Hole | 3313J-10K.pdf | ||
BAW56 E6327 | BAW56 E6327 Infineon SOT23 | BAW56 E6327.pdf | ||
LP5952TLX-0.7/NOPB | LP5952TLX-0.7/NOPB NS SO | LP5952TLX-0.7/NOPB.pdf | ||
PSB21483FV1.7 | PSB21483FV1.7 INF Call | PSB21483FV1.7.pdf | ||
CTCB1206F-900H | CTCB1206F-900H CntralTech NA | CTCB1206F-900H.pdf | ||
CXA1822Q | CXA1822Q SONY QFP | CXA1822Q.pdf | ||
K4T1G1640E-HCF7 | K4T1G1640E-HCF7 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4T1G1640E-HCF7.pdf | ||
OZ9976 | OZ9976 ORIGINAL SMD or Through Hole | OZ9976.pdf | ||
BCM7221 | BCM7221 Broadcom N A | BCM7221.pdf | ||
RB160L-60(002926) | RB160L-60(002926) ROHM DO214 | RB160L-60(002926).pdf | ||
GH46231 | GH46231 CANON QFP | GH46231.pdf | ||
UPD70F3350GC(A)-UEU | UPD70F3350GC(A)-UEU NEC QFP100 | UPD70F3350GC(A)-UEU.pdf |