창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4555B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.16옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4555B | |
관련 링크 | 1N45, 1N4555B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MPLAD6.5KP130CAE3 | TVS DIODE 130VWM 209VC PLAD | MPLAD6.5KP130CAE3.pdf | |
![]() | 402F19212IAR | 19.2MHz ±10ppm 수정 10pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F19212IAR.pdf | |
![]() | Y0793200R000D0L | RES 200 OHM 0.6W 0.5% RADIAL | Y0793200R000D0L.pdf | |
![]() | CP0002110R0JB14 | RES 110 OHM 2W 5% AXIAL | CP0002110R0JB14.pdf | |
![]() | HL-C2CE | CONTROLLER NPN SENSOR HEAD | HL-C2CE.pdf | |
![]() | DS3102A18-1P | DS3102A18-1P AMPHENOL ORIGINAL | DS3102A18-1P.pdf | |
![]() | LMK212BJ684KGST | LMK212BJ684KGST TAIYO SMD or Through Hole | LMK212BJ684KGST.pdf | |
![]() | 2SC3072-B(T6L1,NQ) | 2SC3072-B(T6L1,NQ) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC3072-B(T6L1,NQ).pdf | |
![]() | FEP30CP | FEP30CP VISHAY TO-247 | FEP30CP.pdf | |
![]() | JS28F640P30BF75A-N | JS28F640P30BF75A-N ORIGINAL SMD or Through Hole | JS28F640P30BF75A-N.pdf | |
![]() | MAX4661CSE | MAX4661CSE MAXIM SOP16 | MAX4661CSE.pdf | |
![]() | RYC8502A | RYC8502A Raychem SOT163 | RYC8502A.pdf |