창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4554RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4554RB | |
| 관련 링크 | 1N45, 1N4554RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VLF252010MT-3R3M | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.15A 190 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLF252010MT-3R3M.pdf | |
![]() | ERJ-T06J822V | RES SMD 8.2K OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J822V.pdf | |
![]() | LTC3602IUF#PBF | LTC3602IUF#PBF LINEAR QFN20 -40 -125 I | LTC3602IUF#PBF.pdf | |
![]() | HS209 | HS209 HUAWEI QFP | HS209.pdf | |
![]() | 6402-HS116 | 6402-HS116 PHI SOP28W | 6402-HS116.pdf | |
![]() | FS0H223Z | FS0H223Z TOKIN SMD or Through Hole | FS0H223Z.pdf | |
![]() | UCQ5800A | UCQ5800A ALLEGRO DIP14 | UCQ5800A.pdf | |
![]() | AM386SC300-25KC | AM386SC300-25KC AMD QFP208 | AM386SC300-25KC.pdf | |
![]() | 628A103TR | 628A103TR BI SSOP | 628A103TR.pdf | |
![]() | DS1553WP-150+ | DS1553WP-150+ MAXIM SMD or Through Hole | DS1553WP-150+.pdf | |
![]() | SN65MLVD047D | SN65MLVD047D TI SOP | SN65MLVD047D.pdf | |
![]() | T1RH-61-5001 | T1RH-61-5001 ORIGINAL D0-41 | T1RH-61-5001.pdf |