창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4551B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.12옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4551B | |
관련 링크 | 1N45, 1N4551B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VO615A-1X019T | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | VO615A-1X019T.pdf | |
![]() | FVT05006E500R0JE | RES CHAS MNT 500 OHM 5% 50W | FVT05006E500R0JE.pdf | |
![]() | MCT06030D2101BP100 | RES SMD 2.1K OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2101BP100.pdf | |
![]() | CAT16-122J4LF | RES ARRAY 4 RES 1.2K OHM 1206 | CAT16-122J4LF.pdf | |
![]() | CMF558K0600BEEK | RES 8.06K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF558K0600BEEK.pdf | |
![]() | POE300F_12LD | POE300F_12LD COILCRAFT SMD or Through Hole | POE300F_12LD.pdf | |
![]() | 8007BC2C | 8007BC2C PHILIPS QFP | 8007BC2C.pdf | |
![]() | 15P00327 | 15P00327 N/A SMD or Through Hole | 15P00327.pdf | |
![]() | ISL9307IRTWCWNZ-T7A | ISL9307IRTWCWNZ-T7A Intersil 16-WQFN | ISL9307IRTWCWNZ-T7A.pdf | |
![]() | N13M-GE4-B-A1 | N13M-GE4-B-A1 NVIDIA BGA | N13M-GE4-B-A1.pdf | |
![]() | 7MBR50UA-120-50 | 7MBR50UA-120-50 IGBT SMD or Through Hole | 7MBR50UA-120-50.pdf | |
![]() | 140-0000-965 | 140-0000-965 JOHNSON/WSI SMD or Through Hole | 140-0000-965.pdf |