창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4550B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 500mV | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4550B | |
| 관련 링크 | 1N45, 1N4550B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IPA057N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 | IPA057N08N3GXKSA1.pdf | |
![]() | RFBPB2012090A9T | FILTER RF BALANCE 2.4GHZ ISM | RFBPB2012090A9T.pdf | |
![]() | CDH38D11BNP-2R5MC | 2.5µH Unshielded Inductor 1.55A 116 mOhm Max Nonstandard | CDH38D11BNP-2R5MC.pdf | |
![]() | TIC236M | TIC236M ISC SMD or Through Hole | TIC236M.pdf | |
![]() | CSA9.00MT-TC | CSA9.00MT-TC MURATA 4X4 | CSA9.00MT-TC.pdf | |
![]() | 1RD9-6001 | 1RD9-6001 HP DIP | 1RD9-6001.pdf | |
![]() | C144TF | C144TF ORIGINAL SMD or Through Hole | C144TF.pdf | |
![]() | D8794AIN | D8794AIN ORIGINAL SMD or Through Hole | D8794AIN.pdf | |
![]() | GAL22V10D-10LPNI LEADFREE | GAL22V10D-10LPNI LEADFREE LATTICE DIP | GAL22V10D-10LPNI LEADFREE.pdf | |
![]() | CD4051BM96/TI | CD4051BM96/TI TI 2011 | CD4051BM96/TI.pdf | |
![]() | 1620C | 1620C ORIGINAL TO-220 | 1620C.pdf | |
![]() | VOA0967N30KRA | VOA0967N30KRA SAMSUNG SMD | VOA0967N30KRA.pdf |