창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4448WS-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4448WS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1592 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 75V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 250mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2.5µA @ 75V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N4448WS-7-F-ND 1N4448WS-FDITR 1N4448WS7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4448WS-7-F | |
| 관련 링크 | 1N4448W, 1N4448WS-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 102R18W102MV4E | 102R18W102MV4E JHANSON SMD | 102R18W102MV4E.pdf | |
![]() | PCI-MT32-XM-UT6 | PCI-MT32-XM-UT6 Lattice SMD or Through Hole | PCI-MT32-XM-UT6.pdf | |
![]() | MSP3417GGB8V3X | MSP3417GGB8V3X MICRONS QFP | MSP3417GGB8V3X.pdf | |
![]() | ARR-AP600L-CA8 | ARR-AP600L-CA8 SUT SMD or Through Hole | ARR-AP600L-CA8.pdf | |
![]() | EKY-6R3ETD103MLP1S | EKY-6R3ETD103MLP1S NIPPON DIP | EKY-6R3ETD103MLP1S.pdf | |
![]() | FD1J3P-T1B | FD1J3P-T1B NEC SOT-23 | FD1J3P-T1B.pdf | |
![]() | MGWI06-48D012 | MGWI06-48D012 MINMAX DC-DC | MGWI06-48D012.pdf | |
![]() | CR253M35% | CR253M35% PHILIPS SMD or Through Hole | CR253M35%.pdf | |
![]() | RP102Z151B-TR-F | RP102Z151B-TR-F RICHO WLCSP-4-P2 | RP102Z151B-TR-F.pdf | |
![]() | TPA2012D2RTJT | TPA2012D2RTJT TI QFN | TPA2012D2RTJT.pdf | |
![]() | MS-156NB(73) | MS-156NB(73) HRS SMD or Through Hole | MS-156NB(73).pdf |