창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4133 (DO35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1000옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 66.12V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4133 (DO35) | |
관련 링크 | 1N4133 , 1N4133 (DO35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ZXTP08400BFFTA | TRANS PNP 400V 0.2A SOT23-3 | ZXTP08400BFFTA.pdf | |
![]() | CB3JB82R0 | RES 82 OHM 3W 5% CERAMIC WW | CB3JB82R0.pdf | |
![]() | GC42385-M1 | GC42385-M1 MICROSEMI SMD or Through Hole | GC42385-M1.pdf | |
![]() | 556562M010FH2 | 556562M010FH2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 556562M010FH2.pdf | |
![]() | DAC850H-CBI-V | DAC850H-CBI-V BB DIP-24 | DAC850H-CBI-V.pdf | |
![]() | SCHLVM/TC1/201 | SCHLVM/TC1/201 ORIGINAL DIP28 | SCHLVM/TC1/201.pdf | |
![]() | TA-016TCMS4R7K-ARLC | TA-016TCMS4R7K-ARLC FUJI SMD or Through Hole | TA-016TCMS4R7K-ARLC.pdf | |
![]() | LM3057N | LM3057N NS IC | LM3057N.pdf | |
![]() | TR 2SC3320L | TR 2SC3320L UTC TO3P | TR 2SC3320L.pdf | |
![]() | RC0603JR-071R5L 0603 1.5R | RC0603JR-071R5L 0603 1.5R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0603JR-071R5L 0603 1.5R.pdf | |
![]() | DTM8C | DTM8C SAY TO-220 | DTM8C.pdf | |
![]() | C62F | C62F ORIGINAL TO-94 | C62F.pdf |