창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4114UR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4114UR | |
관련 링크 | 1N41, 1N4114UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
FDB390N15A | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK | FDB390N15A.pdf | ||
0412CDMCCDS-R68MC | 680nH Shielded Molded Inductor 4.7A 36 mOhm Max Nonstandard | 0412CDMCCDS-R68MC.pdf | ||
MPC8320VRADDC | MPC8320VRADDC MOTOROLA BGA | MPC8320VRADDC.pdf | ||
K6R4008C1D-JL10 | K6R4008C1D-JL10 SAMSUNG SOJ | K6R4008C1D-JL10.pdf | ||
M50957-225SP | M50957-225SP MIT DIP42P | M50957-225SP.pdf | ||
WB3782D | WB3782D ORIGINAL QFP | WB3782D.pdf | ||
0603(20K)/33K2 | 0603(20K)/33K2 ORIGINAL SMD | 0603(20K)/33K2.pdf | ||
433003036451BDS3/3/8.9-3S1 | 433003036451BDS3/3/8.9-3S1 ORIGINAL SMD | 433003036451BDS3/3/8.9-3S1.pdf | ||
MMCX-J-P-H-RA-SM1 | MMCX-J-P-H-RA-SM1 SAMTEC SMD or Through Hole | MMCX-J-P-H-RA-SM1.pdf | ||
LJ13-01683A | LJ13-01683A SAMSUNG BGA | LJ13-01683A.pdf | ||
BGB208S101UM | BGB208S101UM ST QFN | BGB208S101UM.pdf |