창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4105 (DO35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 8.44V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4105 (DO35) | |
관련 링크 | 1N4105 , 1N4105 (DO35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B43540A5157M | 150µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 710 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540A5157M.pdf | |
![]() | 752161102GP | RES ARRAY 14 RES 1K OHM 16DRT | 752161102GP.pdf | |
![]() | HSCDAND400MGAA3 | Pressure Sensor 5.8 PSI (40 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0.33 V ~ 2.97 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | HSCDAND400MGAA3.pdf | |
![]() | 5 PSI-GF-HGRADE-MINI | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Vented Gauge Male - 0.18" (4.57mm) Tube 0 mV ~ 60 mV (12V) 4-SIP Module | 5 PSI-GF-HGRADE-MINI.pdf | |
![]() | 3309P1501 | 3309P1501 BOURNS SMD or Through Hole | 3309P1501.pdf | |
![]() | HY50U283222AFP-36 | HY50U283222AFP-36 HY BGA | HY50U283222AFP-36.pdf | |
![]() | DE1210-1E472M-KXSMKX39C51 | DE1210-1E472M-KXSMKX39C51 MURATA SMD or Through Hole | DE1210-1E472M-KXSMKX39C51.pdf | |
![]() | CY2CC19100I | CY2CC19100I ORIGINAL SMD or Through Hole | CY2CC19100I.pdf | |
![]() | SR15 5A 470 JAA TB | SR15 5A 470 JAA TB ORIGINAL SMD or Through Hole | SR15 5A 470 JAA TB.pdf | |
![]() | TL12W02 | TL12W02 TOSHIBA SMD or Through Hole | TL12W02.pdf | |
![]() | MT28F800B1 WG-8T/TB | MT28F800B1 WG-8T/TB MEMORY SMD | MT28F800B1 WG-8T/TB.pdf |