창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4105 (DO35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 8.44V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4105 (DO35) | |
관련 링크 | 1N4105 , 1N4105 (DO35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ECJ-TVB1H102M | 1000pF Isolated Capacitor 4 Array 50V X7R 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | ECJ-TVB1H102M.pdf | |
![]() | RP73D2B90K9BTDF | RES SMD 90.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B90K9BTDF.pdf | |
![]() | CMF5533R200DEBF | RES 33.2 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5533R200DEBF.pdf | |
TSOP32136 | 3V PH.MODULE 36KHZ S.VIEW | TSOP32136.pdf | ||
![]() | 185N10F3 | 185N10F3 ST TO-220 | 185N10F3.pdf | |
![]() | 10F206T-I/P | 10F206T-I/P MICROCHIP DIP-8 | 10F206T-I/P.pdf | |
![]() | IDT72413L10SO | IDT72413L10SO IDT QFP | IDT72413L10SO.pdf | |
![]() | MAX6946ATE+TG071 | MAX6946ATE+TG071 MAXIM QFN | MAX6946ATE+TG071.pdf | |
![]() | 5395-09 | 5395-09 MOLEX SMD or Through Hole | 5395-09.pdf | |
![]() | PM8611-PI-P | PM8611-PI-P PMC BGA | PM8611-PI-P.pdf | |
![]() | M38513M4-C72FP | M38513M4-C72FP ORIGINAL SMD or Through Hole | M38513M4-C72FP.pdf | |
![]() | K6T1008C2C-B70 | K6T1008C2C-B70 SAMSUNG DIP | K6T1008C2C-B70.pdf |