창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4104UR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 7.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4104UR | |
관련 링크 | 1N41, 1N4104UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 406C35D25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35D25M00000.pdf | |
![]() | TNPW120680R6BETA | RES SMD 80.6 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120680R6BETA.pdf | |
![]() | CMF5563R400DHRE | RES 63.4 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5563R400DHRE.pdf | |
![]() | DDC114EU7F | DDC114EU7F DIODES SMD or Through Hole | DDC114EU7F.pdf | |
![]() | MC14211BCP | MC14211BCP ON DIP | MC14211BCP.pdf | |
![]() | S29AL016D90TAI013 | S29AL016D90TAI013 SPANSION TSOP48 | S29AL016D90TAI013.pdf | |
![]() | MT41J1G4RA-125:D | MT41J1G4RA-125:D Micron FBGA | MT41J1G4RA-125:D.pdf | |
![]() | NCP1216P065 | NCP1216P065 ON SMD or Through Hole | NCP1216P065.pdf | |
![]() | P89C61X213A | P89C61X213A ORIGINAL NXP | P89C61X213A.pdf | |
![]() | B161OLMHAXP | B161OLMHAXP INF Call | B161OLMHAXP.pdf | |
![]() | ZN428J-8 | ZN428J-8 GPS DIP | ZN428J-8.pdf |