창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4102UR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6.61V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4102UR | |
관련 링크 | 1N41, 1N4102UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | GRT21BR61H475KE13L | 4.7µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRT21BR61H475KE13L.pdf | |
![]() | 416F50013CDT | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013CDT.pdf | |
![]() | MP4-2L-1N-1N-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-2L-1N-1N-00.pdf | |
![]() | IMC0402ER39NJ01 | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 320mA 550 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER39NJ01.pdf | |
![]() | IDT72V253L7-5PF | IDT72V253L7-5PF IDT QFP | IDT72V253L7-5PF.pdf | |
![]() | L513QWC-45D | L513QWC-45D UTC SOP-16 | L513QWC-45D.pdf | |
![]() | 3CT100A | 3CT100A CHINA SMD or Through Hole | 3CT100A.pdf | |
![]() | SG8065L | SG8065L SGL SOP16 | SG8065L.pdf | |
![]() | MS3V-TIR | MS3V-TIR MICROCRYSTAL SMD or Through Hole | MS3V-TIR.pdf | |
![]() | 1N3081 | 1N3081 N DIP | 1N3081.pdf | |
![]() | CRMK515-0002 | CRMK515-0002 ORIGINAL DIP | CRMK515-0002.pdf | |
![]() | SA58635UK | SA58635UK NXP SMD or Through Hole | SA58635UK.pdf |