창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4101UR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6.24V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4101UR | |
| 관련 링크 | 1N41, 1N4101UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ALD111910PAL | MOSFET 2N-CH 8DIP | ALD111910PAL.pdf | |
![]() | NKN3WSJT-73-0R39 | RES 0.39 OHM 3W 5% AXIAL | NKN3WSJT-73-0R39.pdf | |
![]() | CMF6010K700FKR6 | RES 10.7K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6010K700FKR6.pdf | |
![]() | PM-6201 | PM-6201 HOLE SMD or Through Hole | PM-6201.pdf | |
![]() | 68564MCB/C5 | 68564MCB/C5 MOTOROLA CDIP | 68564MCB/C5.pdf | |
![]() | GM1JE35223AE | GM1JE35223AE SHARP SMD | GM1JE35223AE.pdf | |
![]() | L4941BV (Leaded)^ | L4941BV (Leaded)^ STM SMD or Through Hole | L4941BV (Leaded)^.pdf | |
![]() | CLQ61(S0975084150) | CLQ61(S0975084150) SUMIDA SMD or Through Hole | CLQ61(S0975084150).pdf | |
![]() | IXGH20N50AA | IXGH20N50AA IXY SMD or Through Hole | IXGH20N50AA.pdf | |
![]() | VC5578-0001 | VC5578-0001 VLSI QFP160 | VC5578-0001.pdf | |
![]() | HS353163 | HS353163 ORIGINAL QFP80 | HS353163.pdf | |
![]() | TOP227Y #T | TOP227Y #T ORIGINAL TO-220 | TOP227Y #T.pdf |