창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4002-T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4001-07 Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1584 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 1A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-41 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1N4002DITR 1N4002T 1N4002TR 1N4002TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4002-T | |
| 관련 링크 | 1N40, 1N4002-T 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 156PHB600K4R | 15µF Film Capacitor 350V 600V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | 156PHB600K4R.pdf | |
![]() | AHN223X1N | AHN NEW 2 FORM C | AHN223X1N.pdf | |
![]() | 3N74A, | 3N74A, S SMD-12 | 3N74A,.pdf | |
![]() | PL611-308SC | PL611-308SC PhaseLink SOIC | PL611-308SC.pdf | |
![]() | TIR1000IPWR=IR1000 | TIR1000IPWR=IR1000 TI TSSOP8 | TIR1000IPWR=IR1000.pdf | |
![]() | MC4-0090 | MC4-0090 ORIGINAL CAN | MC4-0090.pdf | |
![]() | BB3584AM | BB3584AM BB TO-8 | BB3584AM.pdf | |
![]() | WM-F4823V2-6FNNa VER.1 | WM-F4823V2-6FNNa VER.1 N/A SMD or Through Hole | WM-F4823V2-6FNNa VER.1.pdf | |
![]() | K9F5608U0C-JIB000 | K9F5608U0C-JIB000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F5608U0C-JIB000.pdf | |
![]() | AD5316BRUREEL7 | AD5316BRUREEL7 ad SMD or Through Hole | AD5316BRUREEL7.pdf | |
![]() | LWW5SG-GXHZ-5K8L | LWW5SG-GXHZ-5K8L OSRAM SMD | LWW5SG-GXHZ-5K8L.pdf |