창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3998A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA(DO-4) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3998A | |
관련 링크 | 1N39, 1N3998A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
200N10 IXFK200N10P IIXFK200N10 | 200N10 IXFK200N10P IIXFK200N10 IXYS TO-264 | 200N10 IXFK200N10P IIXFK200N10.pdf | ||
TA8028S | TA8028S TOSHIBA ZIP-7 | TA8028S.pdf | ||
FXR32G562YE129 | FXR32G562YE129 Hitach SMD or Through Hole | FXR32G562YE129.pdf | ||
CS110-12IO2 | CS110-12IO2 IXYS SMD or Through Hole | CS110-12IO2.pdf | ||
0603-5.62K | 0603-5.62K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-5.62K.pdf | ||
HN58X2402T | HN58X2402T HIT TSSOP8P | HN58X2402T.pdf | ||
STK4278E | STK4278E SANYO HYB | STK4278E.pdf | ||
74UL02003A | 74UL02003A TI SOIC-16 | 74UL02003A.pdf | ||
TMB12A01 | TMB12A01 ORIGINAL DIP | TMB12A01.pdf | ||
MAX1003EVKIT | MAX1003EVKIT MAXIM SMD or Through Hole | MAX1003EVKIT.pdf | ||
UPD6600AGS-F37 | UPD6600AGS-F37 NEC SOP | UPD6600AGS-F37.pdf |