창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3880R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3879 thru 1N3883R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 6A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.4V @ 6A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 200ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1N3880RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3880R | |
| 관련 링크 | 1N38, 1N3880R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LBM2016TR12J | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 610mA 130 mOhm 0806 (2016 Metric) | LBM2016TR12J.pdf | |
![]() | ISC1210SYR82K | 820nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 500 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210SYR82K.pdf | |
![]() | RCS04029R76FKED | RES SMD 9.76 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS04029R76FKED.pdf | |
![]() | CRCW120627R0JNTB | RES SMD 27 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW120627R0JNTB.pdf | |
![]() | UGF21125FE | UGF21125FE MOT SMD or Through Hole | UGF21125FE.pdf | |
![]() | 23-21/G6C-BL2N1B/2A | 23-21/G6C-BL2N1B/2A EVERLIGHT SMD or Through Hole | 23-21/G6C-BL2N1B/2A.pdf | |
![]() | N80C196CB | N80C196CB INTEL PLCC84 | N80C196CB.pdf | |
![]() | 10BQ090 | 10BQ090 IR SMD | 10BQ090.pdf | |
![]() | M37796E4JJ | M37796E4JJ MTT PLCC84 | M37796E4JJ.pdf | |
![]() | M29W800DT70N6 H | M29W800DT70N6 H ST SMD or Through Hole | M29W800DT70N6 H.pdf | |
![]() | S93M21C | S93M21C ORIGINAL PLCC44 | S93M21C.pdf |