창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3826A-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3821-28A(-1) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3826A-1 | |
관련 링크 | 1N382, 1N3826A-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0603D200MXBAP | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200MXBAP.pdf | |
![]() | MMBZ5228B-HE3-08 | DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3 | MMBZ5228B-HE3-08.pdf | |
![]() | RT0603BRB07118RL | RES SMD 118 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB07118RL.pdf | |
![]() | SPI08N50C3E3046 | SPI08N50C3E3046 INF SMD or Through Hole | SPI08N50C3E3046.pdf | |
![]() | TC1264 | TC1264 MICROCHIP SOT-263 | TC1264.pdf | |
![]() | ATT3090-100R175I | ATT3090-100R175I XILINX PGA | ATT3090-100R175I.pdf | |
![]() | S-24CS01ADP-G | S-24CS01ADP-G SII/SEIKO DIP-8 | S-24CS01ADP-G.pdf | |
![]() | 70V22L20PF | 70V22L20PF IDT QFP | 70V22L20PF.pdf | |
![]() | DS90LV017ATM_NOPB (LEADFREE) | DS90LV017ATM_NOPB (LEADFREE) NEC SMD or Through Hole | DS90LV017ATM_NOPB (LEADFREE).pdf | |
![]() | 302-HDS/06 | 302-HDS/06 WECO 302-HDSSeries6Pos | 302-HDS/06.pdf |