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GeneSiC Semiconductor 1N3767

1N3767
제조업체 부품 번호
1N3767
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 단일
간단한 설명
DIODE GEN PURP 900V 35A DO5
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내부 부품 번호EIS-1N3767
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서1N3765 thru 1N3768R
DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 단일
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)900V
전류 -평균 정류(Io)35A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.2V @ 35A
속도표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)-
전류 - 역누설 @ Vr10µA @ 50V
정전 용량 @ Vr, F-
실장 유형섀시, 스터드 실장
패키지/케이스DO-203AB, DO-5, 스터드
공급 장치 패키지DO-5
작동 온도 - 접합-65°C ~ 190°C
표준 포장 5
다른 이름1N3767GN
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)1N3767
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