창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3765R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3765 thru 1N3768R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 700V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 35A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 190°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | 1N3765RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3765R | |
| 관련 링크 | 1N37, 1N3765R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 35USC8200MEFCSN22X40 | 8200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 35USC8200MEFCSN22X40.pdf | |
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![]() | RD3A2HY4R7J-T2 | RD3A2HY4R7J-T2 TAIYO LL0805 | RD3A2HY4R7J-T2.pdf | |
![]() | PCD6001H/D45/F2 | PCD6001H/D45/F2 PHILIPS QFP | PCD6001H/D45/F2.pdf | |
![]() | CEM8401A | CEM8401A CEM SOP-8 | CEM8401A.pdf | |
![]() | AL-6UG3WC-120-161 | AL-6UG3WC-120-161 A-BRIGHT ROHS | AL-6UG3WC-120-161.pdf | |
![]() | PD5035 | PD5035 MIT DIP | PD5035.pdf | |
![]() | GO6600TE NPB 128M | GO6600TE NPB 128M NVIDIA SMD or Through Hole | GO6600TE NPB 128M.pdf |